삼성전자가 첨단 공정으로 알려진 3나노 공정 양산을 시작했다고 합니다.

반도체 업계에 따르면 원래는 TSMC(대만 소재의 세계 최대 규모 파운드리 업체)가 이 물량을 가져갈 것으로 예상이 되었으나, 우리나라 기업인 삼성이 이를 먼저 이루어냈다고 합니다.

따라서 퀼컴(미국의 무선 전화 통신 연구 및 개발 기업)은 차세대 모바일용 칩셋 위탁 생산을 위해 삼성전자와 협의를 할 계획이라고 합니다. 

 

3나노 공정이 띄어난 이유는?

3나노 공정이 주목받는 이유는 간단합니다. '세계 최초'이기 때문입니다. 차세대 트랜지스터 구조로 알려진 GAA 신기술을 적용한 3나노 기술은 삼성전자가 사실상 유일무이하다고 볼 수 있습니다. 현재 지금까지는 가장 작은 반도체가 핀 트랜지스터 구조를 적용한 4나노 공정이었습니다만, 이러한 구조로는 더 이상 줄일 수 없다는 한계가 발견되었습니다. 

 

GAA란?

Gate-All-Around로 3나노 이하 초미세 회로에 도입될 트랜지스터 구조입니다. 이 구조의 트랜지스터는 전류가 흐르는 채널 4면을 게이트가 둘러싸고 있어 전류의 흐름을 보다 세밀하게 제어하는 채널 조정 능력을 극대화했다고 합니다.

사실 삼성은 이미 2018년 파운드리 포럼에서 GAA를 적용한 차세대 3나노 공정에 도입하겠다고 했는데 무려 4년만에 이를 최초로 구현한 것입니다.

 

 

앞으로의 미래는 어떻게 될까?

3나노 공정으로 만들어진 트랜지스터는 앞으로 사용될 차세대 반도체(적은 전력으로 고성능을 내는)에 활용될 예정이라고 합니다. 예를 들어서 빅데이터, 자율주행, 인공지능 등 여러가지 분야가 있겠네요. 삼성전자 횡보에 주목할 필요가 있어보입니다. 

 

참고 문헌

https://www.upinews.kr/newsView/upi202206300031

https://www.samsungsemiconstory.com/kr/%EC%B0%A8%EC%84%B8%EB%8C%80-%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4%EB%A5%BC-%EC%9C%84%ED%95%9C-%EC%B0%A8%EC%84%B8%EB%8C%80-%EA%B3%B5%EC%A0%95-gaa-%EA%B5%AC%EC%A1%B0-%ED%8A%B8%EB%9E%9C%EC%A7%80/

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